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GB/T 2423.102-2008
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合

Environmental testing for electric and electronic products.Part 2:Test method.Test:combined temperature(cold and heat)/low air pressure/vibration(sinusoidal)

GBT2423.102-2008, GB2423.102-2008


標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
GB/T 2423.102-2008
別名
GBT2423.102-2008, GB2423.102-2008
發(fā)布
2008年
總頁(yè)數(shù)
13頁(yè)
發(fā)布單位
國(guó)家質(zhì)檢總局
當(dāng)前最新
GB/T 2423.102-2008
 
 
引用標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2421-1999 GB/T 2422-1995 GB/T 2423.1-2001 GB/T 2423.10-2008 GB/T 2423.2-2001 GB/T 2423.21-1991 GB/T 2423.26-1992
被代替標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 2424.24-1995 GB/T 2423.42-1995
適用范圍
本部分規(guī)定了溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗(yàn)的基本要求、嚴(yán)酷等級(jí)、試驗(yàn)程序以及其他技術(shù)細(xì)則。 本部分適用于確定產(chǎn)品在溫度(低溫、高溫)、低氣壓和振動(dòng)(正弦)綜合作用下的貯存、運(yùn)輸和使用的適應(yīng)性。有溫度變化的綜合試驗(yàn)可參考本部分。

其他標(biāo)準(zhǔn)


專題


GB/T 2423.102-2008相似標(biāo)準(zhǔn)


GB/T 2423.102-2008系列標(biāo)準(zhǔn)

GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)A: 低溫 GB/T 2423.10-2019 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fc: 振動(dòng)(正弦) GB/T 2423.101-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):傾斜和搖擺 GB/T 2423.102-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn):溫度(低溫、高溫)/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fd: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--一般要求 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fda: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--高再現(xiàn)性 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdb: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--中再現(xiàn)性 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Fdc: 寬頻帶隨機(jī)振動(dòng)--低再現(xiàn)性 GB/T 2423.15-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分: 試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Ga和導(dǎo)則: 穩(wěn)態(tài)加速度 GB/T 2423.16-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)J和導(dǎo)則:長(zhǎng)霉 GB/T 2423.17-2024 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Ka:鹽霧 GB/T 2423.18-2021 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kb:鹽霧,交變(氯化鈉溶液) GB/T 2423.19-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kc:接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗(yàn) GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)B:高溫 GB/T 2423.20-2014 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Kd:接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗(yàn) GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)M:低氣壓 GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)N:溫度變化 GB/T 2423.23-2013 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Q:密封 GB/T 2423.24-2022 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)S:模擬地面上的太陽(yáng)輻射及太陽(yáng)輻射試驗(yàn)和氣候老化試驗(yàn)導(dǎo)則 GB/T 2423.25-2008 電工電子產(chǎn)品 環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/AM:低溫/低氣壓綜合試驗(yàn) GB/T 2423.26-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn).第2部分:試驗(yàn)方法.試驗(yàn)Z/BM:高溫/低氣壓綜合試驗(yàn) GB/T 2423.27-2020 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AMD:低溫/低氣壓/濕熱連續(xù)綜合試驗(yàn) GB/T 2423.28-2005 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分;試驗(yàn)方法 試驗(yàn)T:錫焊 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分: 試驗(yàn)方法 試驗(yàn)U:引出端及整體安裝件強(qiáng)度 GB/T 2423.3-2016 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Cab:恒定濕熱試驗(yàn)

GB/T 2423.102-2008 中可能用到的儀器設(shè)備


誰(shuí)引用了GB/T 2423.102-2008 更多引用





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